半导体中的雪崩倍增效应

半导体中的雪崩倍增效应

半导体中的雪崩倍增效应：半导体中的雪崩倍增效应通常用电离率来描述碰撞电离效应的强弱。它定义为一个载流子通过单位距离平均所产生的电子空穴对的数目。电离率强烈依赖于电场，也是温度的函数（由于温度升高，点阵散射增强，倾向于阻碍对载流子的加热，通常电离率随温度的升高而下降）。电子和空穴一般具有不同的电离率。

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