深等离子体刻蚀技术

深等离子体刻蚀技术

深等离子体刻蚀，也称大深宽比刻蚀(High Aspect Ratio Etching,HARE)，一般是选用Si作为刻蚀微结构的加工对象，它有别于VLSI 中的硅刻蚀，因此又称为先进硅刻蚀(Advanced Silicon Etching,ASE) 工艺。它由于采用了感应棚合等离子体(Inductively CupledPlasma.ICP),所以与传统的反应离子刻蚀(RIE)、电子回旋共振(ECR)等刻蚀技术相比，具有更大的各向异性刻蚀速率比和更高的刻蚀速率，且系统结构简单。由于硅材料本身较脆，需要将加工了的硅微结构作为模具，对塑料进行模压加工，再利用塑料微结构进行微电铸后，才能用得到的金属模具进行微结构器件的批量生产。或者直接从硅片上进行微电铸，获得金属微复制模具。

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